|
Datos del producto:
|
| Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | Aplicación: | Gestión del poder |
|---|---|---|---|
| Función: | RDS excelente (encendido) | Transistor del Mosfet del poder: | MOSFET del poder del modo del aumento |
| Número de modelo: | 12N60 | Tipo: | transistor del mosfet del canal N |
| Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
||
Transistor del Mosfet del canal N del OEM, pequeño modo del aumento del interruptor del Mosfet
DESCRIPCIÓN del transistor del Mosfet del canal N
El UTC 12N60-C es un MOSFET de alto voltaje del poder diseñado para tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y altas características rugosas de la avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en usos de alta velocidad de la transferencia de las fuentes y de los adaptadores de alimentación de la transferencia.
CARACTERÍSTICAS del transistor del Mosfet del canal N
* RDS(ENCENDIDO)< 0=""> GS = 10 V, ID = 6,0 A
* capacidad rápida de la transferencia
* energía de la avalancha probada
* capacidad mejorada de dv/dt, alta aspereza
| Número el ordenar | Paquete | Asignación de Pin | El embalar | |||
| Sin plomo | El halógeno libera | 1 | 2 | 3 | ||
| 12N60L-TF1-T | 12N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Tubo |
| 12N60L-TF3-T | 12N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Tubo |
Nota: Asignación de Pin: G: Puerta D: Dren S: Fuente
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TC = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | CONDICIONES DE PRUEBA | MINUTO | TIPO | Max | UNI T | |
| DE CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Corriente de la salida de la Dren-fuente | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Corriente de la salida de la fuente de la puerta | Delantero | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | nA | ||
| Revés | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | nA | ||||
| EN CARACTERÍSTICAS | |||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Resistencia estática del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS=10V, ID=6.0A | 0,7 | Ω | |||
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | |||||||
| Capacitancia de la entrada | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f =1.0 megaciclo |
1465 | PF | |||
| Capacitancia de salida | COSS | 245 | PF | ||||
| Capacitancia reversa de la transferencia | CRSS | 57 | PF | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE LA TRANSFERENCIA | |||||||
| Carga total de la puerta (nota 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (nota 1,2) | 144 | nC | |||
| Carga de la Puerta-fuente | QGS | 10 | nC | ||||
| Carga del Puerta-dren | QGD | 27 | nC | ||||
| Tiempo de retraso de abertura (nota 1) | TD (ENCENDIDO) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (nota 1,2) |
81 | ns | |||
| Tiempo de subida de abertura | tR | 152 | ns | ||||
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (APAGADO) | 430 | ns | ||||
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tF | 215 | ns | ||||
| CARACTERÍSTICAS DE DIODO DE DRAIN-SOURCE Y GRADOS MÁXIMOS | |||||||
| El diodo continuo máximo de la Dren-fuente remite la corriente | IS | 12 | A | ||||
|
El máximo pulsó diodo de la Dren-fuente Corriente delantera |
ISMO | 48 | A | ||||
| Voltaje delantero del diodo de la Dren-fuente | VSD | VGS=0 V, IS=6.0 A | 1,4 | V | |||
| Tiempo de recuperación reversa | trr |
VGS=0 V, IS=6.0 A, dIF/dt=100 A/μs (nota 1) |
336 | ns | |||
| Carga reversa de la recuperación | Qrr | 2,21 | μC | ||||
Notas: 1. los grados máximos absolutos son esos valores más allá de los cuales el dispositivo podría ser dañado permanentemente.
Los grados máximos absolutos son grados de la tensión solamente y la operación funcional del dispositivo no se implica.
4. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
5. L = 84mH, ICOMO =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25 que comienza TJ = 25°C
6. I ≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, DD ≤BVDSS delSDde V, comenzando TJ = 25°C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TJ = 25°С, salvo especificación de lo contrario)
| Parámetro | Símbolo | Condición | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| De características | ||||||
| Voltaje de avería de la Dren-fuente | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Corriente cero del dren del voltaje de la puerta | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Corriente de la salida del Puerta-cuerpo | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| En las características (nota 3) | ||||||
| Voltaje del umbral de la puerta | VGS (th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Resistencia del En-estado de la Dren-fuente | RDS (ENCENDIDO) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | Ω de m | |
| Transconductancia delantera | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Características dinámicas (Note4) | ||||||
| Capacitancia de la entrada | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Capacitancia de salida | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Capacitancia reversa de la transferencia | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Características de la transferencia (nota 4) | ||||||
| Tiempo de retraso de abertura | TD (encendido) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | nS |
| Tiempo de subida de abertura | tr | - | 7,4 | - | nS | |
| Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | TD (apagado) | - | 35 | - | nS | |
| Tiempo de caída de la vuelta-Apagado | tf | - | 9,1 | - | nS | |
| Carga total de la puerta | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | nC | |
| Carga de la Puerta-fuente | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Carga del Puerta-dren | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Características de diodo de la Dren-fuente | ||||||
| Voltaje delantero del diodo (nota 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Corriente delantera del diodo (nota 2) | IS | - | - | 9,6 | A | |
| Tiempo de recuperación reversa | trr |
TJ = 25°C, SI =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | nS | |
| Carga reversa de la recuperación | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Tiempo de abertura delantero | tonelada | El tiempo de abertura intrínseco es insignificante (el excitamiento es dominado por LS+LD) | ||||
Esencialmente independiente de la temperatura de funcionamiento. Notas: 1. prueba del pulso: ≤ 300µs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.
Persona de Contacto: David
