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Datos del producto:
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Nombre del producto: | transistor de poder más elevado | Características: | Alta potencia |
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Número de modelo: | 30P06D TO-252 | voltaje de la Dren-fuente: | -60 V |
Voltaje de la Puerta-Fuente: | ±20 V | El otro nombre: | Transistor de efecto de campo |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
Transistor de poder más elevado de 30P06D TO-252, transistor de efecto de campo de encargo
DESCRIPCIÓN del transistor de poder más elevado
El foso avanzado de las aplicaciones 30P06D
tecnología para proporcionar R excelente DS (ENCENDIDO)
y carga baja de la puerta. Este dispositivo es
conveniente para el uso como interruptor de la carga o adentro
Usos de PWM.
GENERAL CARACTERÍSTICAS del transistor de poder más elevado
V DS = - 60V, I D =-30A
R del poder más elevado del DS (ENCENDIDO < 40m="">
) R DS (ENCENDIDO < 55m="">
) y capacidad que da actual
Se adquiere el producto sin plomo
Paquete superficial del soporte
Uso del transistor de poder más elevado
Usos de PWM
Gestión del poder
Marca del paquete e información el ordenar
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
NOTAS:
1. Grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
2. superficie montada en el 1in 2 FR4 tablero, sec del ≤ 10 de t.
3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
Información del paquete TO-252
Persona de Contacto: David