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Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema

Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema
Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema

Ampliación de imagen :  Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: HXY1404S
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet Número de modelo: HXY1404S
Potencia: 40V/12A R DS (ENCENDIDO) = 16mΩ (tipo.): @V GS = 4.5V
Función: Alta densidad de célula extrema Aplicación: protección de la batería
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor de poder del Mosfet del rendimiento más alto con alta densidad de célula extrema

 

Descripción de la característica del transistor de poder del Mosfet

 

Es un MOSFET de alto voltaje del poder diseñado para tener mejores características, tales como tiempo rápido de la transferencia, carga baja de la puerta, resistencia baja del en-estado y altas características rugosas de la avalancha. Este MOSFET del poder se utiliza generalmente en usos de alta velocidad de la transferencia de las fuentes y de los adaptadores de alimentación de la transferencia.

 

40V/12A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 13mΩ GS = 10V
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 16mΩ GS = 4.5V
100%Avalanche probado
Confiable y rugoso
Halógeno libre y DevicesAvailable verde
(RoHSCompliant)

 

 

Usos del transistor de poder del Mosfet

 

PowerManagement forDC/DC
Uso de la transferencia
Protección de la batería

 

 

Información que ordena y de marcado

 

S
HXY1404
YYXXXJWW G

 

Código del paquete
S: SOP-8L
Material de la asamblea del código de fecha
YYXXX WW G: El halógeno libera

 

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y placa de lata del mate del 100% Termi-
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define
“Verde” para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso adentro
el material y el total homogéneos de Br y de Cl no excede 1500ppm por peso).
HUAYI se reserva la derecha de llevar a cabo cambios, correcciones, aumentos, modificaciones, y mejoras a estas RRPP
oduct y/o a este documento en cualquier momento sin previo aviso.

 

Grados máximos absolutos

 

Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema 0

 

Características de funcionamiento típicas

 

Transistor de poder del Mosfet del alto rendimiento con alta densidad de célula extrema 1

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Persona de Contacto: David

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