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Transistor de poder rápido del Mosfet que cambia AP6H06S 6A 60V modificado para requisitos particulares

Certificación
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones
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Comentarios de cliente
cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

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Transistor de poder rápido del Mosfet que cambia AP6H06S 6A 60V modificado para requisitos particulares

Transistor de poder rápido del Mosfet que cambia AP6H06S 6A 60V modificado para requisitos particulares
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Ampliación de imagen :  Transistor de poder rápido del Mosfet que cambia AP6H06S 6A 60V modificado para requisitos particulares

Datos del producto:
Lugar de origen: China Shenzhen
Nombre de la marca: Hua Xuan Yang
Certificación: RoHS、SGS
Número de modelo: AP6H06S
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: negociación
Precio: Negotiated
Detalles de empaquetado: Encajonado
Tiempo de entrega: 1 - 2 semanas
Condiciones de pago: L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente: 18,000,000PCS/por día

Transistor de poder rápido del Mosfet que cambia AP6H06S 6A 60V modificado para requisitos particulares

descripción
Nombre del producto: transistor de poder del mosfet modelo: AP6H06S
Paquete: SOP-8 Marcado: AP6H06S
Voltaje de la VDSDrain-fuente: 60V Voltaje del rce de VGSGate-Sou: ±20A
Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

,

transistor de alto voltaje

Transistor de poder rápido del Mosfet que cambia AP6H06S 6A 60V modificado para requisitos particulares

 

Introducción del transistor de poder del Mosfet

 

La tecnología del MOSFET es ideal para el uso en muchos usos del poder, donde el interruptor bajo en resistencia permite a niveles de la eficacia ser logrado.

Hay varias diversas variedades de MOSFET del poder disponibles de diversos fabricantes, de cada uno con sus propias características y de capacidades.

Muchos MOSFETs del poder incorporan una topología vertical de la estructura. Esto permite la transferencia de gran intensidad con eficacia alta dentro de un relativamente pequeño muere área. También permite al dispositivo apoyar la transferencia de gran intensidad y del voltaje.

 

 

Características generales


VDS = 60V IDENTIFICACIÓN =6 A
RDS (ENCENDIDO) < 35m="">

 

Uso

 

Protección de la batería
Interruptor de la carga
Sistema de alimentación ininterrumpida

 

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

Identificación del producto Paquete Marcado Qty (PCS)
AP6H06S SOP-8 AP6H06S 3000

 

Grados máximos absolutos (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDS 60 V
Voltaje de la Puerta-fuente VGS ±20 V
Drene Actual-continuo Identificación 6 A
Drene Actual-continuo (TC=100℃) Identificación (100℃) 3,5 A
Corriente pulsada del dren IDM 24 A
Disipación de poder máxima Paladio 2 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento TJ, TSTG -55 a 150
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) RθJA 62,5 ℃/W

 

Características eléctricas (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

Parámetro Símbolo Condición Minuto Tipo Máximo Unidad
Voltaje de avería de la Dren-fuente BVDSS VGS=0V ID=250μA 60 - - V
Corriente cero del dren del voltaje de la puerta IDSS VDS=60V, VGS=0V - - 1 μA
Corriente de la salida del Puerta-cuerpo IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
Voltaje del umbral de la puerta VGS (th) VDS=VGS, ID=250μA 1,2 1,6 2,5 V

 

Resistencia del En-estado de la Dren-fuente

RDS (ENCENDIDO) VGS=10V, ID=5A - 26 35 mΩ
RDS (ENCENDIDO) VGS=4.5V, ID=5A - 32 45 mΩ
Transconductancia delantera gFS VDS=5V, ID=5A 11 - - S
Capacitancia de la entrada Clss   - 979 - PF
Capacitancia de salida Coss - 120 - PF
Capacitancia reversa de la transferencia Crss - 100 - PF
Tiempo de retraso de abertura TD (encendido)   - 5,2 - nS
Tiempo de subida de abertura

r

t

- 3 - nS
Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado TD (apagado) - 17 - nS
Tiempo de caída de la vuelta-Apagado

f

t

- 2,5 - nS
Carga total de la puerta Qg

 

VDS=30V, ID=5A,

- 22   nC
Carga de la Puerta-fuente Qgs - 3,3   nC
Carga del Puerta-dren Qgd - 5,2   nC
Voltaje delantero del diodo (nota 3) VSD VGS=0V, IS=5A -   1,2 V
Corriente delantera del diodo (nota 2)

S

I

  - - 5 A
Tiempo de abertura delantero tonelada El tiempo de abertura intrínseco es insignificante (el excitamiento es dominado por LS+LD)

 

Notas:

 

1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima. 2. superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t.

3. Prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo.

4. Garantizado por diseño, no conforme a la producción

5. condición de EAS: Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25

 

Atención

 

1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.

2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.

3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.

4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.

5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.

6, ninguna parte de esta publicación se pueden reproducir o transmitir en cualquier forma o de ninguna manera, electrónico o mecánico, incluyendo la fotocopia y la registración, o cualquier sistema del almacenamiento o de recuperación de información, o de otra manera, sin el permiso escrito anterior del semiconductor CO. de la microelectrónica de APM, LTD.

7, información (esquemas circulares incluyendo y los parámetros del circuito) adjunto está por ejemplo solamente; no se garantiza para la producción de volumen. La microelectrónica de APM cree que la información adjunto es exacta y confiable, pero no se hace ni está implicado ningunas garantías con respecto su uso o a cualquier infracción de los derechos de propiedad intelectual o de otras derechas de los terceros.

, Cualquiera y toda la información descrita o contenida adjunto está conforme al cambio sin previo aviso debido al producto/a la mejora de la tecnología, al etc. Al diseñar el equipo, refiera a la “especificación de la entrega” para el producto de la microelectrónica de APM que usted se prepone utilizar.

Contacto
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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