Datos del producto:
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Nombre de producto: | Transistor de efecto de campo del MOS | modelo: | AP15N10S |
---|---|---|---|
Paquete: | SOP-8 | Marcado: | AP15N10S XXX YYYY |
Voltaje de la VDSDrain-fuente: | 100V | Voltaje del rce de VGSGate-Sou: | ±20V |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
Interruptor del Mosfet de la lógica del transistor de efecto de campo del MOS de AP15N10S/15A 100V
Introducción del transistor de efecto de campo del MOS
Los MOSFETs del poder se utilizan normalmente en los usos donde los voltajes no exceden cerca de 200 voltios. Voltajes más altos no son tan fácilmente realizables. Donde se utilizan los MOSFETs del poder, es su punto bajo EN la resistencia que es particularmente atractiva. Esto reduce la disipación de poder que reduce coste y clasifica menos trabajo de metalistería y se requiere el enfriamiento. También el punto bajo EN resistencia significa que los niveles de la eficacia se pueden mantener en un de alto nivel
Características del transistor de efecto de campo del MOS
VDS = 100V IDENTIFICACIÓN =15A
RDS (ENCENDIDO) < 120m="">
Uso del transistor de efecto de campo del MOS
VDS = 100V IDENTIFICACIÓN =15A
RDS (ENCENDIDO) < 120m="">
Marca del paquete e información el ordenar
Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
AP15N10S | SOP-8 | AP15N10S XXX YYYY | 3000 |
Grados máximos absolutos (TC=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 100 | V |
VGS | Voltaje del rce de la puerta-Sou | ±20 | V |
ID@TA =25℃ | Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 | 15 | A |
ID@TA =70℃ | Corriente continua del dren, V GS @ 10V 1 | 7 | A |
IDM | Dren pulsado Current2 | 30 | A |
EAS | Sola energía 3 de la avalancha del pulso | 6,1 | mJ |
IAS | Corriente de la avalancha | 11 | A |
℃ de PD@TA =25 | Poder total Dissipation3 | 1,5 | W |
TSTG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 | ℃ |
RθJA | Resistencia termal 1 Empalme-ambiente | 85 | ℃/W |
RθJC | Empalme-caso 1 de la resistencia termal | 36 | ℃/W |
Características eléctricas (℃ de TJ =25, a menos que se indicare en forma diferente
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,098 | --- | V/℃ |
RDS (ENCENDIDO) |
En-resistencia estática de la Dren-fuente |
VGS=10V, I D=2A | --- | 90 | 112 | mΩ |
VGS=4.5V, ID=1A | --- | 95 | 120 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V | |
△VGS (th) | Coeficiente de temperatura de VGS (th) | --- | -4,57 | --- | mV/℃ | |
IDSS |
Corriente de la salida de la Dren-fuente |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 10 |
UA |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 100 | |||
IGSS | Corriente de la salida de la Puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transconductancia delantera | VDS=5V, ID=2A | --- | 12 | --- | S |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 4 | |
Qg | Carga total de la puerta (10V) | --- | 19,5 | --- | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | --- | 3,2 | --- | ||
Qgd | Carga del Puerta-dren | --- | 3,6 | --- | ||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
VDD=50V, VGS=10V, |
--- | 16,2 | --- | |
Tr | Tiempo de subida | --- | 3 | --- | ||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | --- | 44 | --- | ||
Tf | Tiempo de caída | --- | 2,6 | --- | ||
CISS | Capacitancia de la entrada | --- | 1535 | --- | ||
Coss | Capacitancia de salida | --- | 60 | --- | ||
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | --- | 37,4 | --- | ||
ES | Corriente de fuente continua 1,5 |
VG=VD=0V, corriente de la fuerza |
--- | --- | 4 | A |
ISMO | Corriente de fuente pulsada 2,5 | --- | --- | 8 | A | |
VSD | El diodo remite Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
Símbolo | Parámetro | Condiciones | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura de BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,098 | --- | V/℃ |
RDS (ENCENDIDO) |
En-resistencia estática de la Dren-fuente |
VGS=10V, I D=2A | --- | 90 | 112 | mΩ |
VGS=4.5V, ID=1A | --- | 95 | 120 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V | |
△VGS (th) | Coeficiente de temperatura de VGS (th) | --- | -4,57 | --- | mV/℃ | |
IDSS |
Corriente de la salida de la Dren-fuente |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 10 |
UA |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 100 | |||
IGSS | Corriente de la salida de la Puerta-fuente | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transconductancia delantera | VDS=5V, ID=2A | --- | 12 | --- | S |
Rg | Resistencia de la puerta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 4 | |
Qg | Carga total de la puerta (10V) | --- | 19,5 | --- | ||
Qgs | Carga de la Puerta-fuente | --- | 3,2 | --- | ||
Qgd | Carga del Puerta-dren | --- | 3,6 | --- | ||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
VDD=50V, VGS=10V, |
--- | 16,2 | --- | |
Tr | Tiempo de subida | --- | 3 | --- | ||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado | --- | 44 | --- | ||
Tf | Tiempo de caída | --- | 2,6 | --- | ||
CISS | Capacitancia de la entrada | --- | 1535 | --- | ||
Coss | Capacitancia de salida | --- | 60 | --- | ||
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | --- | 37,4 | --- | ||
ES | Corriente de fuente continua 1,5 |
VG=VD=0V, corriente de la fuerza |
--- | --- | 4 | A |
ISMO | Corriente de fuente pulsada 2,5 | --- | --- | 8 | A | |
VSD | El diodo remite Voltage2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
Nota:
los datos 1.The probaron por la superficie montada en un 1 tablero de inch2 FR-4 con el cobre 2OZ.
los datos 2.The probaron por pulsado, el ≦ 300us, ≦ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo
los datos de 3.The EAS muestran el grado máximo. La condición de prueba es VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=11A
la disipación de poder 4.The es limitada por temperatura de empalme 175℃
los datos 5.The son teóricamente lo mismo que la identificación e IDM, en usos reales, se deben limitar por la disipación de poder total
Atención
1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.
2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.
3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.
4, semiconductor CO., LTD. de la microelectrónica de APM se esfuerza suministrar los altos productos de alta calidad de la confiabilidad. Sin embargo, cualquiera y todos los productos de semiconductor fallan con una cierta probabilidad. Es posible que estos fracasos de probabilidad podrían dar lugar a los accidentes o a los acontecimientos que podrían poner en peligro las vidas humanas que podrían dar lugar a humo o al fuego, o que podrían causar daño a la otra propiedad. El equipo de Whendesigning, adopta medidas de seguridad de modo que estas clases de accidentes o de acontecimientos no puedan ocurrir. Tales medidas incluyen pero no se limitan a los circuitos protectores y a los circuitos de la prevención de error para el diseño seguro, el diseño redundante, y el diseño estructural.
5, en caso que cualquiera o todos los productos de la microelectrónica de APM (datos técnicos incluyendo, los servicios) descritos o contenidos adjunto sean controlados conforme a ningunas de leyes y de regulaciones aplicables de control de exportación locales, tales productos no deben ser exportados sin la obtención de la licencia de exportación de las autoridades referidas de acuerdo con la ley antedicha.
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Persona de Contacto: David