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Datos del producto:
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| VCBO: | - 310V | VCEO: | - 305V |
|---|---|---|---|
| VEBO: | -5V | Nombre de producto: | tipo del triodo del semiconductor del silicio |
| TJ: | 150℃ | CASO: | Cinta/bandeja/carrete |
| Alta luz: | transistor del pnp de la extremidad,transistores de la serie de la extremidad |
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TO-92 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores A92 (PNP)
Alto voltaje
MARCA
INFORMACIÓN EL ORDENAR
| Número de parte | Paquete | Método que embala | Cantidad del paquete |
| A92 | TO-92 | Bulto | 1000pcs/Bag |
| A92-TA | TO-92 | Cinta | 2000pcs/Box |
GRADOS MÁXIMOS (TA =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Voltaje de la Colector-base | - 310 | V |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor | - 305 | V |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | -5 | V |
| IC | Corriente de colector - continua | - 200 | mA |
| ICM | Corriente de colector - pulsada | -500 | mA |
| PC | Disipación de poder del colector | 625 | mW |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura del orage del St | -55~150 | ℃ |
| RӨJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | 200 | ℃ /mW |
| RӨJC | Resistencia termal, empalme a encajonar | 83,3 | ℃ /mW |
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC =-100UA, IE =0 | -310 | V | ||
| voltaje de avería del Colector-emisor | CEO DE V (BR) | IC =-1MA, IB =0 | -305 | V | ||
| voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | IE =-100ΜA, IC =0 | -5 | V | ||
| Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB DE = IE =0 -200 V | -0,25 | μA | ||
| Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB = -5 V, IC =0 | -0,1 | μA | ||
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Aumento actual de DC |
hFE (1) | VCE = -10 V, IC=- 1 mA | 60 | |||
| hFE (2) | VCE = -10V, IC = -10 mA | 80 | 250 | |||
| hFE (3) | VCE = -10 V, IC = -80 mA | 60 | ||||
| voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (se sentó) | IC = -20 mA, IB= -2 mA | -0,2 | V | ||
| Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (se sentó) | IC = -20 mA, IB= -2 mA | -0,9 | V | ||
| Frecuencia de la transición | pie | VCE = -20 V, IC= -10 mA f = 30MHz | 50 | Megaciclo |
| Fila | B | C | |
| Gama | 80-100 | 100- 200 | 200-250 |
Características típicas
Dimensiones del esquema del paquete
| Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
| Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
| 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 | |
| A1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| b | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| c | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| D | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| D1 | 3,430 | 0,135 | ||
| E | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| e | 1,270 TIPO | 0,050 TIPOS | ||
| e1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| L | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| 0 | 1,600 | 0,063 | ||
| h | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Persona de Contacto: David
