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Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V

Name: Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V
Brand: Hua Xuan Yang
SKU: 3DD13005HD55

Comentarios de cliente

transistor de poder del mosfet
(118)

Transistores de poder de la extremidad
(30)

Transistor de poder del silicio
(19)

Diodo de transferencia dual
(15)

Transistor de efecto de campo del MOS
(29)

Mosfet en doble canal
(10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación
(6)

diodo Zener del poder
(6)

puente rectificador de Schottky
(10)

diodo de rectificador de alto voltaje
(15)

Triodo del semiconductor
(9)

Estabilizador IC del voltaje
(14)

Certificación

China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd certificaciones

Comentarios de cliente

cooperación con Hua Xuan Yang somos en gran parte debido a su profesionalismo, su respuesta afilada al arreglo para requisitos particulares de los productos que necesitamos, el acuerdo de todas nuestras necesidades y, sobre todo, provision de servicios de calidad.

—— -- Jason de Canadá

Bajo recomendación de mi amigo, sabemos sobre Hua Xuan Yang, experto mayor en el semiconductor y la industria de los componentes electrónicos, que nos ha permitido reducir nuestro tiempo precioso y no tuvo que aventurar intento otras fábricas.

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Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V

Ampliación de imagen : Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V

Datos del producto:

Lugar de origen:	China Shenzhen
Nombre de la marca:	Hua Xuan Yang
Certificación:	RoHS、SGS
Número de modelo:	3DD13005HD55

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1000-2000 PC
Precio:	Negotiated
Detalles de empaquetado:	Encajonado
Tiempo de entrega:	1 - 2 semanas
Condiciones de pago:	L/C T/T Western Union
Capacidad de la fuente:	18,000,000PCS/por día

Contacto

Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V

descripción

Disipación de poder del colector:	1.5W	Temperatura de empalme:	℃ 150
VCBO:	600v	Nombre del producto:	tipo del triodo del semiconductor
Corriente de colector:	3.5A	Tipo:	Transistor del triodo
Alta luz:	transistores de la serie de la extremidad , transistor del pnp del poder más elevado

TO-126 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13005HD55 (NPN)

CARACTERÍSTICA

Usos de la transferencia del poder de Ÿ

Buena temperatura alta de Ÿ

Voltaje de saturación bajo de Ÿ

Transferencia de alta velocidad de Ÿ

MARCADO

Código del logotipo 13005HD55=Device de JCET

Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V 0

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Número de parte	Paquete	Método del embalaje	Cantidad del paquete
3DD13005HD55	TO-126	Bulto	200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU	TO-126	Tubo	60pcs/Tube

GRADOS MÁXIMOS (T_un =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad
VCBO	Voltaje de la Colector-base	800	V
VCEO	Voltaje del Colector-emisor	450	V
VEBO	Voltaje de la Emisor-base	9	V
I_C	Corriente de colector	3,5	A
P_C	Disipación de poder del colector	1,5	W
RθJA	Resistencia termal del empalme a ambiente	83,3	℃/W
T_j	Temperatura de empalme	150	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-55~+150	℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

TA =25 Š salvo especificación de lo contrario

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
voltaje de avería de la Colector-base	V (BR) CBO	I_C=1mA, ES DECIR =0	800			V
voltaje de avería del Colector-emisor	V (BR) CEO*	I_C=10mA, I_B=0	450			V
voltaje de avería de la Emisor-base	V (BR) EBO	ES DECIR = 1mA, I_C=0	9			V
Corriente de atajo de colector	ICBO	V_CB=700V, ES DECIR =0			100	μA
Corriente de atajo de colector	ICEO	V_CE=450V, I_B=0			100	μA
Corriente del atajo del emisor	IEBO	V_EB=9V, I_C=0			100	μA
Aumento actual de DC	hFE (1) *	V_CE=5V, I_C=1A	10		40
	hFE (2) *	V_CE=5V, I_C=5mA	10
	hFE (3) *	V_CE=5V, I_C=2A	5
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) 1	I_C=1A, I_B=200mA			0,3	V
voltaje de saturación del Colector-emisor	VCE (sentado) 2	I_C=2A, I_B=500mA			0,6	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado) 1	I_C=2A, I_B=500mA			1,2	V
Voltaje de saturación del emisor de base	VBE (sentado) 2	I_C=500mA, I_B=100mA			1	V
voltaje delantero del Emisor-colector	_ECDE VF	I_C=2A			2	V
Frecuencia de la transición	f_T	V_CE=10V, I_C=500mA	5			Megaciclo
Tiempo de almacenamiento	ts	I_C=250mA (UI9600)			5	µs

Características típicas

Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V 1

Dimensiones del esquema del paquete TO-92

Símbolo	Dimensiones en milímetros		Dimensiones en pulgadas
	Minuto	Máximo	Minuto	Máximo
A	2,500	2,900	0,098	0,114
A1	1,100	1,500	0,043	0,059
b	0,660	0,860	0,026	0,034
b1	1,170	1,370	0,046	0,054
c	0,450	0,600	0,018	0,024
D	7,400	7,800	0,291	0,307
E	10,600	11,000	0,417	0,433
e	2,290 TIPO		0,090 TIPOS
e1	4,480	4,680	0,176	0,184
h	0,000	0,300	0,000	0,012
L	15,300	15,700	0,602	0,618
L1	2,100	2,300	0,083	0,091
P	3,900	4,100	0,154	0,161
Φ	3,000	3,200	0,118	0,126

Tipo del triodo del semiconductor de los transistores de poder de la extremidad 3DD13005HD55 VCBO 600V 3

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Voltaje del Colector-Emisor: 30V
voltaje de la Emisor-base: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

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Disipación de poder del colector: 1.25W
VCEO: -30V
VEBO: -6V
Nombre del producto: tipo del triodo del semiconductor

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Tipo: Transistor del triodo
Materiales: silicio
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VCEO: -50V
VEBO: -5V
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diodo Zener del poder

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