|
Datos del producto:
|
Voltaje de la Colector-Base: | 700V | Temperatura de empalme: | ℃ 150 |
---|---|---|---|
voltaje de la Emisor-base: | 9V | Nombre del producto: | tipo del triodo del semiconductor |
Disipación del colector: | 1.25W | Tipo: | Transistor del triodo |
Alta luz: | transistor del pnp de la extremidad,transistor del pnp del poder más elevado |
TO-263-3L Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores 3DD13005 (NPN)
Usos de la transferencia del poder
GRADOS MÁXIMOS (Tun =25 Š a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VCBO | Voltaje de la Colector-base | 700 | V |
VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 400 | V |
VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 9 | V |
IC | Corriente de colector - continua | 1,5 | A |
PC | Disipación del colector | 1,25 | W |
TJ, Tstg | Temperatura del empalme y de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
TA =25 Š salvo especificación de lo contrario
Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | Ic= 10 mA, IB=0 | 400 | V | ||
voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= 700V, ES DECIR =0 | 1 | mA | ||
Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 0,5 | mA | ||
Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB= 9 V, IC=0 | 1 | mA | ||
Aumento actual de DC |
hFE (1) | VCE= 5 V, IC= 0,5 A | 8 | 40 | ||
hFE (2) | VCE= 5 V, IC= 1.5A | 5 | ||||
voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC=1A, IB= 250 mA | 0,6 | V | ||
Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC=1A, IB= 250mA | 1,2 | V | ||
Voltaje del emisor de base | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
Frecuencia de la transición |
pie |
VCE=10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
Megaciclo |
||
Tiempo de caída | tf | IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0,5 | µs | ||
Tiempo de almacenamiento | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
CLASIFICACIÓN de hFE1
Fila | |||||||
Gama | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
CLASIFICACIÓN de tS
Fila | A1 | A2 | B1 | B2 |
Gama | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
Dimensiones del esquema del paquete TO-92
Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
Mínimo. | Máximo. | Mínimo. | Máximo. | |
A | 4,470 | 4,670 | 0,176 | 0,184 |
A1 | 0,000 | 0,150 | 0,000 | 0,006 |
B | 1,120 | 1,420 | 0,044 | 0,056 |
b | 0,710 | 0,910 | 0,028 | 0,036 |
b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
c | 0,310 | 0,530 | 0,012 | 0,021 |
c1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
D | 10,010 | 10,310 | 0,394 | 0,406 |
E | 8,500 | 8,900 | 0,335 | 0,350 |
e | 2,540 TIPO. | 0,100 TIPOS. | ||
e1 | 4,980 | 5,180 | 0,196 | 0,204 |
L | 14,940 | 15,500 | 0,588 | 0,610 |
L1 | 4,950 | 5,450 | 0,195 | 0,215 |
L2 | 2,340 | 2,740 | 0,092 | 0,108 |
Φ | 0° | 8° | 0° | 8° |
V | 5,600 REFERENCIA. | 0,220 REFERENCIAS. |
Persona de Contacto: David